参考
18566209365
2017-8-2823：07
高功率电子烟的一般方法日益成为合理的，使用MOSFET需要低RDS（点亮），变更为N沟道P沟道MOSFET。
随着高功率电子烟的数量增加，成本压力变得越来越明显。
本公司及UBIQ推出了专门为MOS协同电子烟，以及新技术，它已经开发出了一些超低内阻的MOS管和类似QN3109M6NQN3107M6NQN3110M6NQN3108M6N的。自2017年以来我们缺乏玻璃芯片，我们已经制定了广泛的计划，但2017年UBIQ电子烟MOS管肯定会爆炸。
分组类型极性的模型现在支持的Rds（10V）的RDS（4。
5 v）顺
QN 3109 M 6 NPRP AK 5 * 6单N 301。
52
53006
QN 3108 M 3 NPRP AK 3 * 3单N 301。
92
92640
QN 3107 M 6 NPRP AK 5 * 6单N 302。
63
61917
QM 3098 M 6 PRP AK 5 * 6单N 30342780
QM 3058 M 6 PRP AK 5 * 6单N 3034。
82220
QM3018M6PRPAK5 * 6单N3。
18566209365
2017-8-2823：07
高功率电子烟的一般方法日益成为合理的，使用MOSFET需要低RDS（点亮），变更为N沟道P沟道MOSFET。
随着高功率电子烟的数量增加，成本压力变得越来越明显。
本公司及UBIQ推出了专门为MOS协同电子烟，以及新技术，它已经开发出了一些超低内阻的MOS管和类似QN3109M6NQN3107M6NQN3110M6NQN3108M6N的。自2017年以来我们缺乏玻璃芯片，我们已经制定了广泛的计划，但2017年UBIQ电子烟MOS管肯定会爆炸。
分组类型极性的模型现在支持的Rds（10V）的RDS（4。
5 v）顺
QN 3109 M 6 NPRP AK 5 * 6单N 301。
52
53006
QN 3108 M 3 NPRP AK 3 * 3单N 301。
92
92640
QN 3107 M 6 NPRP AK 5 * 6单N 302。
63
61917
QM 3098 M 6 PRP AK 5 * 6单N 30342780
QM 3058 M 6 PRP AK 5 * 6单N 3034。
82220
QM3018M6PRPAK5 * 6单N3。